- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369532 > BTS282-Z Transient Voltage Suppressor Diodes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BTS282-Z |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | ？N通道高速TEMPFET？ |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | BTS282-Z |
2000-09-11
3
BTS 282 Z
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Characteristics
junction - case:
R
thJC
R
th(JA)
R
th(JA)
-
-
0.5
K/W
Thermal resistance @ min. footprint
-
-
62
Thermal resistance @ 6 cm
2
cooling area
1)
-
33
40
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
at
T
j
= 25°C, unless otherwise specified
Static Characteristics
min.
typ.
max.
Drain-source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25 mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 240 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 45 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= -40 °C
V
DS
= 45 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 45 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
V
(BR)DSS
49
-
-
V
V
GS(th)
1.2
1.6
2
I
DSS
-
-
-
-
0.1
-
0.1
1
100
μA
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
Drain-Source on-state resistance
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 36 A
V
GS
= 10 V,
I
D
= 36 A
I
GSS
-
-
10
20
100
100
nA
R
DS(on)
-
-
8.2
5.8
9.5
6.5
m
1 Device on 50mm*50mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70μm thick) copper area for drain
connection. PCB mounted vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTS306E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS306E3062A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS307E3062 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS308E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS308E3062 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTS282Z E3180A | 功能描述:MOSFET TEMPFET 49V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282Z E3230 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282Z_09 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Speed TEMPFET |
| BTS282ZAKSA1 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282ZE3180A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:TEMPFET - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。