參數(shù)資料
型號(hào)： BLF2022-90
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： BLF2022-90
2003 Feb 24
5
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF2022-90
handbook, halfpage
25
PL(AV) (dBm)
10
5
0
30
35
45
40
MLD833
Gp
(dB)
η
D
(%)
Gp
η
D
30
10
20
0
Fig.6
Powergainanddrainefficiencyasfunctions
of average load power; typical values.
Single carrier W-CDMA performance.
V
DS
= 28 V; I
DQ
= 750 mA; T
h
= 25
°
C; f = 2140 MHz.
Input signal: 3GPP W-CDMA 1-64DPCH with 66% clipping;
peak to average power ratio: 8.5 dB at 0.01% probability on
CCDF; channel spacing/bandwidth = 5 MHz / 3.84 MHz.
Measured in a W-CDMA application circuit.
handbook, halfpage
ACLR
(dBc)
25
30
PL(AV) (dBm)
35
45
20
60
80
40
40
MLD834
ACLR5
ACLR10
Fig.7
Adjacentchannel leakage ratio (ACLR
5
and
ACLR
10
) as function ofaverage loadpower;
typical values.
Single carrier W-CDMA performance.
V
DS
= 28 V; I
DQ
= 750 mA; T
h
= 25
°
C; f = 2140 MHz.
Input signal: 3GPP W-CDMA 1-64DPCH with 66% clipping;
peak to average power ratio: 8.5 dB at 0.01% probability on
CCDF; channel spacing/bandwidth = 5 MHz / 3.84 MHz.
Measured in a W-CDMA application circuit.
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