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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLF2022-90 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power LDMOS transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | BLF2022-90 |
2003 Feb 24
4
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power LDMOS transistor
BLF2022-90
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
40
120
10
11
12
13
14
80
PL (PEP) (W)
Gp
η
D
(%)
40
50
0
10
20
30
MLD837
η
D
Fig.2
Powergainanddrainefficiencyasfunctions
of peak envelope load power; typical
values.
V
DS
= 28 V; I
= 750 mA; T
= 25
°
C;
f
1
= 2170 MHz; f
2
= 2170.1 MHz.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
0
40
d3
d5
d7
PL (PEP) (W)
80
120
20
60
80
40
MLD838
V
DS
= 28 V; I
= 750 mA; T
= 25
°
C;
f
1
= 2170 MHz; f
2
= 2170.1 MHz.
Fig.3
Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
handbook, halfpage
(dB)
0
40
120
10
11
12
13
14
80
PL (PEP) (W)
Gp
η
D
(%)
40
50
0
10
20
30
MLD839
η
D
(2)
(3)
(1)
(4)
(5)
(6)
Fig.4
Powergainanddrainefficiencyasfunctions
of peak envelope load power; typical
values.
V
DS
= 28 V; T
= 25
°
C;
f
1
= 2170 MHz; f
2
= 2170.1 MHz.
(1) I
DQ
= 900 mA.
(2) I
DQ
= 750 mA.
(3) I
DQ
= 600 mA.
(4) I
DQ
= 600 mA.
(5) I
DQ
= 750 mA.
(6) I
DQ
= 900 mA.
handbook, halfpage
dim
(dBc)
0
40
(2)
(3)
PL (PEP) (W)
80
120
20
60
80
40
MLD840
(1)
V
DS
= 28 V; T
= 25
°
C;
f
1
= 2170 MHz; f
2
= 2170.1 MHz.
Fig.5
Third order intermodulation distortion as a
function of peak envelope load power;
typical values.
(1) I
DQ
= 600 mA.
(2) I
DQ
= 900 mA.
(3) I
DQ
= 750 mA.
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PDF描述 |
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