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參數(shù)資料
| 型號： | ATAM893T-TKSYD |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 92/98頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU FLASH 4K MTP 20SSOP |
| 標準包裝： | 830 |
| 系列： | MARC4 |
| 核心處理器： | MARC4 |
| 芯體尺寸： | 4-位 |
| 速度： | 4MHz |
| 連通性： | SSI（2 線，3 線） |
| 外圍設備： | 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 16 |
| 程序存儲器容量： | 4KB（4K x 8） |
| 程序存儲器類型： | EEPROM |
| EEPROM 大?。?/td> | 64 x 16 |
| RAM 容量： | 256 x 4 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 6.5 V |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 封裝/外殼： | 20-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） |
| 包裝： | 管件 |
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92
4680C–4BMCU–01/05
ATAM893-D
11. Crystal Characteristics
Figure 11-1. Crystal Equivalent Circuit
32-kHz Crystal Oscillator (Operating Range V
DD = 2.0 V to 6.5 V)
Frequency
f
X
32.768
kHz
Start-up time
t
SQ
0.5
s
Stability
f/f
-10
10
ppm
Integrated input/output capacitances
(configurable)
C
IN/COUT programmable
C
IN
C
OUT
0, 2, 5, 7, 10 or 12
pF
External 32-kHz Crystal Parameters
Crystal frequency
f
X
32.768
kHz
Serial resistance
RS
30
50
k
Static capacitance
C
0
1.5
pF
Dynamic capacitance
C1
3
fF
External 4-MHz Crystal Parameters
Crystal frequency
f
X
4.0
MHz
Serial resistance
RS
40
150
Static capacitance
C
0
1.4
3
pF
Dynamic capacitance
C1
3
fF
EEPROM
Operating current during erase/write
cycle
IWR
600
1300
A
Endurance, erase-/write cycles
E
D
500000
1000000
Cycles
Tamb = 125°C
ED
10000
20000
Cycles
Data erase/write cycle time
For 16-bit access
tDEW
913
ms
Data retention time
tDR
100
Years
Tamb = 85°C
tDR
1Years
Power-up to read operation
tPUR
0.2
ms
Power-up to write operation
tPUW
0.2
ms
Program EEPROM
Erase-/write cycles, Tamb = 0 to 40°C
nEW
100
1000
Cycles
Serial Interface
SCL clock frequency
fSC_MCL
100
500
kHz
10. AC Characteristics (Continued)
Supply voltage V
DD = 1.8 to 6.5 V, VSS = 0 V, Tamb = 25°C unless otherwise specified.
Parameters
Test Conditions
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
L
C1
RS
C0
OSCIN
OSCOUT
Equivalent
circuit
SCLIN
SCLOUT
相關PDF資料 |
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