TA = 40°C to +115°C, unless o" />
參數(shù)資料
型號(hào)： ADUC7036CCPZ
廠商： Analog Devices Inc
文件頁(yè)數(shù)： 40/132頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 96K FLASH DUAL 48LFCSP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： MicroConverter® ADuC7xxx
核心處理器： ARM7
芯體尺寸： 16/32-位
速度： 20.48MHz
連通性： LIN，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： PSM，溫度傳感器，WDT
輸入/輸出數(shù)： 9
程序存儲(chǔ)器容量： 96KB（48K x 16）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 1.5K x 32
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3.5 V ~ 18 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 2x16b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 115°C
封裝/外殼： 48-VFQFN 裸露焊盤，CSP
包裝： 托盤
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)當(dāng)前第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)
ADuC7036
Rev. C | Page 15 of 132
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
TA = 40°C to +115°C, unless otherwise noted.
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings
may cause permanent damage to the device. This is a stress
rating only; functional operation of the device at these or any
other conditions above those indicated in the operational
section of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect
device reliability.
Table 6.
Parameter
Rating
AGND to DGND to VSS to IO_VSS
0.3 V to +0.3 V
VBAT to AGND
22 V to +40 V
VDD to VSS
0.3 V to +33 V
VDD to VSS for 1 sec
0.3 V to +40 V
LIN to IO_VSS
16 V to +40 V
STI and WU to IO_VSS
3 V to +33 V
Wake-Up Continuous Current
50 mA
High Voltage I/O Pins Short-Circuit
Current
100 mA
Digital I/O Voltage to DGND
0.3 V to REG_DVDD + 0.3 V
VREF to AGND
0.3 V to REG_AVDD + 0.3 V
ADC Inputs to AGND
0.3 V to REG_AVDD + 0.3 V
ESD Human Body Model (HBM) Rating
HBM-ADI0082 (Based on
ANSI/ESD STM5.1-2007).
All Pins except LIN and VBAT.
1 kV
LIN and VBAT
±6 kV
IEC 61000-4-2 for LIN and VBAT
±7 kV
Storage Temperature
125°C
Junction Temperature
Transient
150°C
Continuous
130°C
Lead Temperature
Soldering Reflow (15 sec)
260°C
ESD CAUTION
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PDF描述
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