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APTM60A23FT1G

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APTM60A23FT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MODULE PHASE LEG SP1
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM60A23FT1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTM60A11FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):132 毫歐 @ 33A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10552pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50UM25SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 149A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):149A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 74.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):364nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):17500pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50UM19SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 163A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):163A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 81.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):492nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50UM13SAG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 335A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):335A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 167.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):800nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):42200pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50UM09FAG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 497A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):497A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 248.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):63300pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120HR11CT3AG APTMC120HR11CT3G APTMC120HRM40CT3AG APTMC120HRM40CT3G APTMC120TAM12CTPAG APTMC120TAM17CTPAG APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG
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