APTML602U12R020T3AG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTML602U12R020T3AG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC

APTML602U12R020T3AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTML602U12R020T3AG PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOD MOSFET 600V 45A SP3
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOSFET TRANSISTOR

APTML602U12R020T3AG 技術(shù)參數(shù)

APTML50UM90R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:52A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:568W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:108 毫歐 @ 26A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTML502UM90R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:52A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:108 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTML20UM18R010T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 109A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:109A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTML202UM18R010T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:109A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9880pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTML10UM09R004T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 154A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:154A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9875pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 69.5A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ APTS012A0X3-SRDZ APTS012A0X3-SRZ APTS012A0X43-SRZ APTS020A0X3-SRDZ APTS020A0X3-SRZ