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APTML60U12R020T1AG

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Linear MOSFET Power Module
APTML60U12R020T1AG 技術(shù)參數(shù)
  • APTML602U12R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML50UM90R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:52A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:568W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:108 毫歐 @ 26A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML502UM90R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:52A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:108 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML20UM18R010T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 109A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:109A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:9880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML202UM18R010T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:109A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:9880pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ APTS012A0X3-SRDZ APTS012A0X3-SRZ APTS012A0X43-SRZ APTS020A0X3-SRDZ APTS020A0X3-SRZ APTS020A0X43-SRZ
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