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APTMC60TLM14CAG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTMC60TLM14CAG
    APTMC60TLM14CAG

    APTMC60TLM14CAG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APTMC60TLM14CAG
    APTMC60TLM14CAG

    APTMC60TLM14CAG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • TUBE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APTMC60TLM14CAG
    APTMC60TLM14CAG

    APTMC60TLM14CAG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTMC60TLM14CAG
    APTMC60TLM14CAG

    APTMC60TLM14CAG

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
APTMC60TLM14CAG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Three level inverter 1200V 13mOhm SiC Power Module MOSFET
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
APTMC60TLM14CAG 技術參數(shù)
  • APTMC60TL11CT3AG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(三級反相器) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):98 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):49nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):950pF @ 1000V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC170AM60CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(相角) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1700V(1.7kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):53A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 50A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 2.5mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):190nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3080pF @ 1000V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC170AM30CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(相角) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1700V(1.7kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):106A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 100A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 5mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):380nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6160pF @ 1000V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC120TAM34CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 50A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):161nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120TAM33CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):78A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 60A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 3mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):148nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2850pF @ 1000V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ
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