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APTMC120TAM34CT3AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APTMC120TAM34CT3AG
    APTMC120TAM34CT3AG

    APTMC120TAM34CT3AG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • Module

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTMC120TAM34CT3AG
    APTMC120TAM34CT3AG

    APTMC120TAM34CT3AG

  • 北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
    北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司

    聯(lián)系人：洪先生

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 200

  • MICROCHIP

  • NA

  • 23+

  • -

  • 分立半導(dǎo)體模塊

  • APTMC120TAM34CT3AG
    APTMC120TAM34CT3AG

    APTMC120TAM34CT3AG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APTMC120TAM34CT3AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC MOSFET
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 6 N-溝道（3 相橋）
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 1200V（1.2kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 74A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 34 毫歐 @ 50A，20V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 15mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 161nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 2788pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值
  • 375W
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SP3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
APTMC120TAM34CT3AG 技術(shù)參數(shù)
  • APTMC120TAM33CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:78A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 60A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 3mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:148nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 1000V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120TAM17CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:147A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:322nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5600pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120TAM12CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:220A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120HRM40CT3G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 N 溝道（相腳 + 雙共發(fā)射極） 應(yīng)用:* 電壓 - 額定:1200V（1.2kV） 額定電流:* 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTMC120HRM40CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:73A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:161nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC
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