APTMC120AM55CT1AG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
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封裝
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價格
說明
操作

APTMC120AM55CT1AG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP1
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產品

APTMC120AM55CT1AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現(xiàn)貨電話010-62104...

APTMC120AM55CT1AG
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
10
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

APTMC120AM55CT1AG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Phase leg 1200V 49mOhm 98nC SiC Power Module MOSFET
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

APTMC120AM55CT1AG 技術參數(shù)

APTMC120AM25CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:105A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 80A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 4mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:197nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3800pF @ 1000V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120AM20CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:143A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:360nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5960pF @ 1000V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC120AM16CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:131A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 5mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:246nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4750pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTMC120AM12CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:220A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 150A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120AM09CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:295A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 200A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:644nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC