參數(shù)資料
型號： 71V67803Z133BQG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 4.2 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 8/23頁
文件大?。?/td> 424K
代理商： 71V67803Z133BQG
6.42
16
IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 — Byte Controlled(1,2,3)
A
D
R
E
S
C
L
K
A
D
S
P
A
D
S
C
tC
Y
C
tS
S
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S
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tC
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A
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A
x
A
y
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A
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I2
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A
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A
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4
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)
C
E
,
C
S
1
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W
B
W
E
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W
(N
o
te
3
)
I1
(A
z)
A
z
I4
(A
y)
I1
(A
y)
I4
(A
y)
I3
(A
y
)
tS
C
B
W
E
is
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w
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A
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B
W
x
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A
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c
k
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s
in
g
e
d
g
e
I3
(A
z
)
O
3
(A
w
)
5
3
1
0
d
rw
1
,
NOTES:
1
.
ZZ
input
is
LOW,
GW
is
HIGH
and
LBO
is
Don't
Care
for
this
cycle.
2
.
O4
(Aw)
represents
the
final
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Aw.
I1
(Ax)
represents
the
first
input
fr
om
the
external
address
Ax.
I1
(Ay)
represents
the
first
input
from
the
external
address
Ay;
I2
(Ay)
represents
the
next
input
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Ay,
etc.
where
A
0and
A1
are
advancing
for
the
four
word
burst
in
the
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
In
the
case
of
input
I2
(Ay)
this
data
is
valid
for
two
cycles
because
ADV
is
high
and
has
suspended
the
burst.
3.
C
S
0timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
and
CS
1
signals.
For
example,
when
CE
and
CS
1are
LOW
on
this
waveform,
CS
0is
HIGH.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
72015-2024LF 30 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
72015-1018 51 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
72015-1019 44 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
72015-1020 79 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
72015-1021 48 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
71V67903S75BG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 119BGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商器件封裝:119-PBGA（14x22） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84
71V67903S75BG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 119BGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商器件封裝:119-PBGA（14x22） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
71V67903S75BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-CABGA（13x15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136
71V67903S75BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-CABGA（13x15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
71V67903S75BQGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-CABGA（13x15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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