參數(shù)資料
型號(hào): 71V67803Z133BQG
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: SRAM
英文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 4.2 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
文件頁數(shù): 19/23頁
文件大?。?/td> 424K
代理商: 71V67803Z133BQG
6.42
5
IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration – 256K x 36, 100-Pin TQFP
NOTES:
1. Pin 14 can either be directly connected to VDD, or connected to an input voltage
≥ VIH, or left unconnected.
2. Pin 64 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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71V67903S75BG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 119BGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(512K x 18) 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商器件封裝:119-PBGA(14x22) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
71V67903S75BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(512K x 18) 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-CABGA(13x15) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136
71V67903S75BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(512K x 18) 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-CABGA(13x15) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
71V67903S75BQGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(512K x 18) 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-CABGA(13x15) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1