參數(shù)資料
型號： 71V67803Z133BQG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 4.2 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 2/23頁
文件大小： 424K
代理商： 71V67803Z133BQG
6.42
10
IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Synchronous Truth Table(1,3)
NOTES:
1. L = VIL, H = VIH, X = Don’t Care.
2.
OE is an asynchronous input.
3. ZZ = low for this table.
Operation
Address
Used
CE
CS0
CS1
ADSP
ADSC
ADV
GW
BWE
BWx
OE
(2)
CLK
I/O
Deselected Cycle, Power Down
None
H
X
L
X
-
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
H
L
X
-
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
L
X
-
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
H
X
L
X
-
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
L
X
-
HI-Z
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
H
-
HI-Z
Write Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
L
X
-
DIN
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
H
-
HI-Z
Write Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
X
-
DIN
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
H
-
HI-Z
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
L
X
-
DIN
5310 tbl 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
72015-2024LF 30 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
72015-1018 51 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
72015-1019 44 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
72015-1020 79 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
72015-1021 48 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT
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參數(shù)描述
71V67903S75BG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 119BGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商器件封裝:119-PBGA（14x22） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84
71V67903S75BG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 119BGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商器件封裝:119-PBGA（14x22） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
71V67903S75BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-CABGA（13x15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136
71V67903S75BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA） 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-CABGA（13x15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
71V67903S75BQGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（512K x 18） 速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-CABGA（13x15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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