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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3589-01 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | 6.9 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TFP, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | 2SK3589-01 |
3
2SK3589-01
FUJI POWER MOSFET
VGS=f(Qg):ID=50A, Tch=25°C
IF=f(VSD):80μs Pulse test,Tch=25°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=25A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
Tch [
°
C]
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250
V
A
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
12
14
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
Vcc= 50V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
I
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
RDS(on)=f(ID):80μs Pulse test, Tch=25°C
0
40
80
120
160
200
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
7.0V
6.5V
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
10V
20V
8V
7.5V
6.0V
VGS=
5.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3589 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3592-01SJ | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3596-01SJ | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3597 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3601-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3590-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 31 Milliohms;ID +/-57A;TO-220AB;PD 270W 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET N TO-220AB 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, N, TO-220AB |
| 2SK3590-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET N TO-220AB |
| 2SK3590-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3591-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3592-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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