參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3589-01
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
中文描述： 6.9 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TFP, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： 2SK3589-01
2
Characteristics
2SK3589-01
FUJI POWER MOSFET
ID=f(VGS):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
ID=f(VDS):80μs Pulse test,Tch=25°C
gfs=f(ID):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
starting Tch [
°
C]
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=50A
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
200
20V
7.0V
10V
8V
6.5V
7.5V
6.0V
I
VDS [V]
Typical Output Characteristics
VGS=5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
100
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
Surface mounted on
1000mm
2
,t=1.6mm FR-4 PCB
(Drain pad area : 500mm
2
)
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SK3590-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET N TO-220AB
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