參數(shù)資料
型號： 2SK3569
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSVI）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： 2SK3569
2SK3569
2004-03-04
5
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
0.01
10
0.1
1
10
100
1
10
100
1
10
T
PDM
t
Duty
=
t/T
Rth (ch-c)
=
2.78°C/W
Duty=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.1
1
1
10
100
10
1000
100
VDSS max
0.01
CHANNEL TEMPERATURE (INITIAL)
T
ch
(°C)
E
AS
– T
ch
A
E
A
r
th
– t
w
PULSE WIDTH t
w
(s)
N
I
t
/
t
SINGLE PULSE
15
V
15
V
TEST CIRCUIT
WAVE FORM
I
AR
B
VDSS
V
DD
V
DS
R
G
=
25
V
DD
=
90 V, L
=
6.36mH
=
VDD
BVDSS
BVDSS
2
I
L
2
1
Ε
AS
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
SAFE OPERATING AREA
SINGLE NONREPETITIVE PULSE
Tc=25
CURVES
MUST
BE
DERATED
LINEARLY WITH INCREASE IN
TEMPERATURE
.
ID max (PULSED)
*
ID max (CONTINUOUS)
*
DC OPERATION
Tc
=
25°C
100
μ
s
*
1 ms
*
D
D
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PDF描述
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