參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3569
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSVI）
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： 2SK3569
2SK3569
2004-03-04
4
1
0.1
10
100
1000
10000
1
10
100
Ciss
Coss
Crss
160
40
0
40
80
120
80
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
ID
=
12A
3
6
VGS
=
10 V
0
80
1
2
3
5
40
0
40
80
120
160
4
80
40
0
0
40
80
120
160
20
60
200
0
0.1
0.2
1
10
100
0.6
0.8
1.2
VGS
=
0,
1 V
10
5
1
3
0.4
1.0
0
10
40
VDD
=
100 V
VDS
VGS
400
200
50
60
500
200
100
300
400
0
30
20
20
8
4
12
16
0
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
CAPACITANCE – V
DS
C
COMMON SOURCE
VGS
=
0 V
f
=
1 MHz
Tc
=
25°C
D
P
D
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
P
D
– Tc
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
(
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
G
V
t
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
V
th
– Tc
COMMON SOURCE
VDS
=
10 V
ID
=
1 mA
PULSE TEST
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
R
DS (ON)
– Tc
D
R
D
)
COMMON SOURCE
PULSE TEST
G
G
TOTAL GATE CHARGE Q
g
(nC)
DYNAMIC INPUT / OUTPUT
CHARACTERISTICS
D
D
COMMON SOURCE
ID
=
3 A
Tc
=
25°C
PULSE TEST
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