參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3569
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSVI）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： 2SK3569
2SK3569
2004-03-04
3
0
0
2
4
6
8
10
8
20
Tc
=
55°C
25
100
12
16
4
0
6
8
10
0
ID
=
10 A
4
8
12
16
20
2.5
5
4
2
0.1
0.1
1
10
100
1
10
VGS
=
10 V 15V
0.1
10
100
0.1
1
100
25
100
Tc
=
55°C
1
10
10
6
4
0
8
2
0
2
4
6
8
VGS
=
4V
4.2
4.6
4.4
4.8
5
6
10,8
10
5.1
5.3
16
12
8
4
0
20
0
20
50
VGS
=
4 V
4.5
4.75
5
6
10
5.25
5.5
40
30
10
8
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
DRAIN CURRENT I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
D
R
D
)
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
DRAIN CURRENT I
D
(A)
Y
fs
– I
D
COMMON SOURCE
VDS
=
20 V
PULSE TEST
F
Y
f
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
I
D
– V
GS
D
D
COMMON SOURCE
VDS
=
20 V
PULSE TEST
D
D
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
COMMON SOURCE
Tc
=
25
PULSE TEST
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PDF描述
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