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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | μPD45128441 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-bit Synchronous DRAM(128M 同步DRAM) |
| 中文描述： | 128兆位同步DRAM（128M的同步DRAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/84頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 693K |
| 代理商： | ΜPD45128441 |
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Preliminary Data Sheet
27
μ
PD45128441, 45128841, 45128163
10.2 Write with Auto Precharge
During a write cycle, the auto precharge starts at the timing that is equal to the value of the t
DPL (MIN.)
after the last
data word input to the device.
Remark
WRITA means Write with Auto Precharge
In summary, the auto precharge begins relative to a reference clock that indicates the last data word is valid.
In the table below, minus means clocks before the reference; plus means after the reference.
/CAS latency
Read
Write
2
–1
+t
DPL (MIN.)
3
–2
+t
DPL (MIN.)
DB1
DB2
DB3
DB4
Auto precharge starts
WRITA B
Hi-Z
DB1
DB2
DB3
DB4
Auto precharge starts
WRITA B
Hi-Z
DQ
Command
DQ
Command
/CAS latency = 2
/CAS latency = 3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 4
(t
RAS
must be satisfied)
t
DPL(MIN.)
t
DPL(MIN.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| μPD4516161A | 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| μPD4516421A | 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| μPD4516821A | 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| μPD45256163 | 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動(dòng)態(tài)RAM) |
| μPD45256441 | 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD45128441G5 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10I-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10LI-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10LT-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10T-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
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