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參數(shù)資料
| 型號： | W981216DH-75 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 41/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1221K |
| 代理商： | W981216DH-75 |
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W981216DH / W9812G6DH
- 6 -
5. BLOCK DIAGRAM
DQ0
DQ15
UDQM
LDQM
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
A0
A9
A11
BS0
BS1
CLOCK
BUFFER
COMMAND
DECODER
ADDRESS
BUFFER
REFRESH
COUNTER
COLUMN
COUNTER
CONTROL
SIGNAL
GENERATOR
MODE
REGISTER
COLUMN DECODER
SENSE AMPLIFIER
CELL ARRAY
BANK #2
COLUMN DECODER
SENSE AMPLIFIER
CELL ARRAY
BANK #0
COLUMN DECODER
SENSE AMPLIFIER
CELL ARRAY
BANK #3
DATA CONTROL
CIRCUIT
DQ
BUFFER
COLUMN DECODER
SENSE AMPLIFIER
CELL ARRAY
BANK #1
Note: The cell array configuration is 4096 * 512 * 16.
DMn
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| WF512K32-150CJC | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQCC68 |
| W73B586A-09L | 32K X 18 CACHE SRAM, 9 ns, PQCC52 |
| WS512K32-100G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 1,048,576 words 】 4 banks 】 32 bits |
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