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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W981216DH-75 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1221K |
| 代理商： | W981216DH-75 |
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W981216DH/ W9812G6DH
Publication Release Date: June 6, 2005
- 11 -
Revision A08
50 ohm s
1.4 V
AC TEST LOAD
Z = 50 ohm s
Output
50 pF
7. Transition times are measured between VIH and VIL.
8. tHZ defines the time at which the outputs achieve the open circuit condition and is not referenced to
output level.
9. Assumed input rise and fall time (tr & tf) = 1ns.
If tr & tf is longer than 1ns, transient time compensation should be considered,
i.e.,[(tr + tf)/2-1]ns should be added to the parameter
( The tT maximum can’t be more than 10nS for low frequency application. )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-25 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| WF512K32-150CJC | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CQCC68 |
| W73B586A-09L | 32K X 18 CACHE SRAM, 9 ns, PQCC52 |
| WS512K32-100G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, CQFP68 |
| WS512K32-35G4M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9812G2GB | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GB-75 | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 32BITS SDRAM |
| W9812G2GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 1,048,576 words 】 4 banks 】 32 bits |
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