參數(shù)資料
型號： VQ1000J
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 51K
代理商： VQ1000J
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
Vishay Siliconix
Document Number: 70226
S-04279
—
Rev. F, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-5
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.001
0.010
0.100
1.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
500 mA
I
D
= 50 mA
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
Threshold Voltage
–
0.75
–
0.50
–
0.25
–
0.00
0.25
0.50
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1
100
10
1 K
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA, BS170 Only)
N
T
t
1
–
Square Wave Pulse Duration (sec)
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
I
S
–
r
D
–
V
G
–
相關PDF資料
PDF描述
VQ1001J Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
VQ1001J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓30V，夾斷電流0.83A的N溝道增強型MOSFET)
VQ1004J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.46A的N溝道增強型MOSFET晶體管)
VQ1004J N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
VQ1006P N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V，夾斷電流0.4A的N溝道增強型MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VQ1000P 功能描述:MOSFET QD 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1000P2 制造商:SILICONIX 功能描述:New
VQ1000P-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.225A 14-Pin PDIP T/R
VQ1000P-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1001J 功能描述:MOSFET QD 30V 0.83A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*