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參數(shù)資料
| 型號： | UPD44164362F5-E50-EQ1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| 中文描述： | 1800萬位的SRAM 2條DDRII字爆發(fā)運作 |
| 文件頁數(shù)： | 28/32頁 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | UPD44164362F5-E50-EQ1 |
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28
Data Sheet M15821EJ7V2DS
μ
PD44164082, 44164182, 44164362
Revision History
Edition/
Page
Type of
Location
Description
Date
This
Previous
revision
(Previous edition
→
This edition)
edition
edition
7th edition/
Throughout Throughout
Deletion
Ordering Information
μ
PD44164362F5-E40-EQ1
Feb. 2004
p.12
p.12
Modification DC Characteristics I
DD
(MAX.)
MAX.
Unit
MAX.
Unit
x8, x18
x36
x8, x18
x36
-E40
600
TBD
mA
-E40
650
mA
-E50
500
600
-E50
550
650
-E60
430
520
-E60
480
570
DC Characteristics I
SB1
(MAX.)
MAX.
Unit
MAX.
Unit
x8, x18
x36
x8, x18
x36
-E40
250
mA
-E40
320
mA
-E50
210
-E50
270
-E60
190
-E60
250
p.26
p.26
Modification Package Drawing
Preliminary version
→
Standardized version
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD44164082F5-E60-EQ1 | 18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44164182F5-E60-EQ1 | 18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| UPD44324184F5-E50-EQ2 | 36M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERAT |
| UPD444004LLE-A10 | 4M-BIT CMOS FAST SRAM 1M-WORD BY 4-BIT |
| UPD444004LLE-A12 | 4M-BIT CMOS FAST SRAM 1M-WORD BY 4-BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UPD44164362F5-E60-EQ1ES | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD44165092BF5-E40-EQ3-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:2MX9, 2BURST, 250 MHZ QDRII SRAM - Trays |
| UPD44165094BF5-E40-EQ3-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin BGA |
| UPD44165362BF5-E40-EQ3 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:UPD44165362BF5-E40-EQ3 - Trays |
| UPD44165362BF5-E40-EQ3-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin BGA |
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