參數(shù)資料
型號： UPA2718GR
元件分類： JFETs
英文描述： 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： POWER, SOP-8
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： UPA2718GR
Data Sheet G16952EJ1V0DS
6
PA2718GR
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
I
AS
-Single
Avalanche
Current
-A
-0.1
-1
-10
-100
EAS = 16.9 mJ
IAS =
13 A
VDD =
15 V
VGS =
20 → 0 V
RG = 25
Starting Tch = 25°C
L - Inductive Load - H
Energy
Derating
Factor
-
%
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
VDD =
15 V
RG = 25
VGS =
20 → 0 V
IAS
≤ 13 A
Starting Tch - Starting Channel Temperature - °C
10 m
100 m
1
10
相關PDF資料
PDF描述
UPA2718GR-A 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
UPA2719GR-A 10 A, 30 V, 0.0255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
UPC1042C 0.1 A SWITCHING CONTROLLER, 100 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDIP16
UPD31172F1-48-FN MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA208
UPD703111GM-10-UEU 32-BIT, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
UPA2719AGR-E1-AT 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2719AGR-E2-AT 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2719GR 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2719GR-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2720AGR-E1-AT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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