參數(shù)資料
型號： UPA2718GR
元件分類： JFETs
英文描述： 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： POWER, SOP-8
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： UPA2718GR
Data Sheet G16952EJ1V0DS
5
PA2718GR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
5
10
15
20
-50
0
50
100
150
ID =
6.5 A
Pulsed
VGS =
10 V
4.5 V
4 V
Tch - Channel Temperature - °C
C
is
s,
C
os
s,
C
rss
-Capacitance
-pF
10
100
1000
10000
-0.1
-1
-10
-100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(
on)
,t
r,t
d(
off)
,t
f-
Swi
tching
Time
-ns
1
10
100
1000
10000
-0.1
-1
-10
-100
VDD =
15 V
VGS =
10 V
RG = 10
td(off)
tf
tr
td(on)
ID - Drain Current - A
V
DS
-
D
rain
to
So
urce
Voltage
-
V
0
-10
-20
-30
0
20406080
0
-5
-10
-15
ID =
13 A
VDD =
24 V
15 V
6 V
VGS
VDS
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gate
to
So
urce
Voltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F-
Diode
Fo
rwa
rd
Curren
t-
A
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Pulsed
VGS = 10 V
0 V
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
t
rr-
Rev
ers
eRec
ov
ery
Ti
me
-ns
10
100
1000
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
di/dt = 50 A/
s
IF - Diode Forward Current - A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA2718GR-A 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
UPA2719GR-A 10 A, 30 V, 0.0255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
UPC1042C 0.1 A SWITCHING CONTROLLER, 100 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDIP16
UPD31172F1-48-FN MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA208
UPD703111GM-10-UEU 32-BIT, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA2719AGR-E1-AT 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2719AGR-E2-AT 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2719GR 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2719GR-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2720AGR-E1-AT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*