參數(shù)資料
型號： UPA2718GR
元件分類： JFETs
英文描述： 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： POWER, SOP-8
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 138K
代理商： UPA2718GR
Data Sheet G16952EJ1V0DS
4
PA2718GR
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0
-25
-50
-75
-100
-125
-150
0
-0.5
-1
-1.5
-2
Pulsed
VGS =
10 V
4 V
4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
0
-1-2
-3-4
-5
VDS =
10 V
Pulsed
TA = 150°C
75°C
25°C
40°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
G
S
(off)
-
Gate
C
ut
-off
Voltage
-
V
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-50
0
50
100
150
VDS =
10 V
ID =
1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|
y
fs
|-
Forward
T
ransfer
Admittan
ce
-
S
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
-100
VDS = 10 V
Pulsed
TA = 150°C
75°C
25°C
40°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
10
20
30
40
-1
-10
-100
-1000
Pulsed
VGS = 10 V
4.5 V
4 V
ID - Drain Current - A
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-m
0
10
20
30
40
0
-5
-10
-15
-20
Pulsed
ID =
6.5 A
VGS - Gate to Source Voltage - V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA2718GR-A 13 A, 30 V, 0.0145 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
UPA2719GR-A 10 A, 30 V, 0.0255 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
UPC1042C 0.1 A SWITCHING CONTROLLER, 100 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDIP16
UPD31172F1-48-FN MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA208
UPD703111GM-10-UEU 32-BIT, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA2719AGR-E1-AT 功能描述:MOSFET LV 8SOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2719AGR-E2-AT 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
UPA2719GR 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2719GR-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2720AGR-E1-AT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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