參數(shù)資料
型號(hào)： TPC6104
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 205K
代理商： TPC6104
TPC6104
2004-07-06
5
Ambient temperature Ta (
°
C)
R
DS (ON)
– Ta
D
R
D
(
)
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
C
Ambient temperature Ta (
°
C)
V
th
– Ta
G
t
Ambient temperature Ta (
°
C)
P
D
– Ta
D
D
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic input/output characteristics
20Common source
ID
=
6 A
Ta
=
25°C
Pulse test
16
D
D
Crss
Coss
Ciss
Common source
Ta
=
25°C
f
=
1 MHz
VGS
=
0 V
0.1
1
10
100
0.3
3
30
10
100
1000
10000
30
300
3000
0
80
0.5
1.5
2.0
40
0
40
80
160
Common source
VDS
=
10 V
ID
=
200
μ
A
Pulse test
120
1.0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
40
80
120
160
(1) Device mounted on a
glass-epoxy board (a)
(Note 2a)
(2) Device mounted on a
glass-epoxy board (b)
(Note 2b)
(1) t
=
5 s
(2) t
=
5 s
(1) DC
(2) DC
1
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
100
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
2.0
1
VGS
=
0 V
4
3
30
1.8
VDD
=
16 V
4 V
8 V
0
4
8
10
6
2
0
0
4
8
16
8
12
VGS
VDD
=
16 V
24
40
8 V
32
4 V
80
40
0
40
80
160
120
0
40
80
120
160
Common source
Pulse test
VGS
=
1.8 V
2.2 A
ID
=
1.1A
4.5 A
ID
=
1.1 A,
2.2 A,
4.5 A
2.5 V
4.5 V
4.5 A
ID
=
1.1 A,
2.2 A
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