參數(shù)資料
型號： TPC6104
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： TPC6104
TPC6104
2004-07-06
4
F
f
|
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
I
D
– V
GS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
Drain current I
D
(A)
|Y
fs
| – I
D
Drain current I
D
(A)
D
R
D
(
)
R
DS (ON)
– I
D
0
0
1
2
3
4
5
0.2
0.4
0.6
1.0
Common source
=
25°C Pulse test
0.8
VGS
=
1.4 V
5
4
3
2.5
2
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
5
0
1
2
3
4
5
2.5
VGS
=
1.4 V
3
0
2
4
6
8
10
Common source
=
25°C Pulse test
2.1
2
1.8
1.6
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Common source
VDS
=
10 V
Pulse test
Ta
=
55°C
100°C
25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
1.1 A
2.2 A
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
ID
=
4.5 A
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
100°C
25°C
Ta
=
55°C
Common source
VDS
=
10 V
Pulse test
0.3
3
30
0.3
3
30
4
10
0.1
1000
1
10
100
100
2.5 V
VGS
=
4.5 V
1.8 V
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
30
300
0.3
3
30
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