參數(shù)資料
型號(hào)： TN28F020-150
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 256K X 8 FLASH 12V PROM, 150 ns, PQCC32
封裝： 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32
文件頁(yè)數(shù)： 30/38頁(yè)
文件大?。?/td> 878K
代理商： TN28F020-150
28F020
E
30
4.9
AC Characteristics
—Write/Erase/Program Only Operations
Commercial and Extended Temperature Products
(1)
—
Versions
28F020-90
(4)
28F020-120
(4)
28F020-150
(4)
Symbol
Characteristics
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
t
AVAV
/
t
WC
Write Cycle Time
90
120
150
ns
t
AVWL
/
t
AS
Address Set-Up
Time
0
0
0
ns
t
WLAX
/
t
AH
Address Hold Time
40
40
40
ns
5
55
t
DVWH
/
t
DS
Data Set-Up Time
40
40
40
ns
5
55
55
t
WHDX
/
t
DH
Data Hold Time
10
10
10
ns
t
WHGL
Write Recovery Time
before Read
6
6
6
μs
t
GHWL
Read Recovery
Time before Write
2
0
0
0
ns
t
ELWL
/
t
CS
Chip Enable Set-Up
Time before Write
15
15
15
ns
t
WHEH
/
t
CH
Chip Enable Hold
Time
0
0
0
ns
t
WLWH
/
t
WP
Write Pulse Width
40
60
60
ns
5
55
55
t
WHWL
/
t
WPH
Write Pulse Width
High
20
20
20
ns
t
WHWH1
Duration of
Programming
Operation
3
10
10
10
μs
t
WHWH2
Duration of Erase
Operation
3
9.5
9.5
9.5
ms
t
VPEL
V
PP
Set-Up Time to
Chip Enable Low
2
1
1
1
μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN28F020-120 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
TN28F512-120 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY
TN5C060-45 16 MACROCELL CMOS PLD
TN5C090-50 24 MACROCELL CMOS PLD
TN5C090 24 MACROCELL CMOS PLD
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參數(shù)描述
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TN28F512-120 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:
TN29/19/15-3E25 制造商:FERROXCUBE 功能描述:FERRITE CORE TOROID 3E25 制造商:FERROXCUBE 功能描述:FERRITE TN29/19/15-3E25 制造商:Yageo / Ferroxcube 功能描述:FERRITE CORE, TOROID, 3E25 制造商:FERROXCUBE 功能描述:FERRITE CORE, TOROID, 3E25; Core Type:Toroid; Core Size:TN29; Material Grade:3E25; Effective Magnetic Path Length:73.2mm; Ae Effective Cross Section Area:73.9mm2; Inductance Factor Al:7000nH; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); External ;RoHS Compliant: Yes
TN29/19/7.5 制造商:FERROXCUBE 制造商全稱:Ferroxcube International Holding B.V. 功能描述:Ferrite toroids
TN29/19/7.5-3C11 制造商:Yageo / Ferroxcube 功能描述:
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