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參數(shù)資料
| 型號： | TN28F020-150 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 12V PROM, 150 ns, PQCC32 |
| 封裝： | 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 20/38頁 |
| 文件大小： | 878K |
| 代理商： | TN28F020-150 |
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28F020
E
20
4.4
DC Characteristics
—TTL/NMOS Compatible—Commercial Products
(Continued)
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
V
IL
Input Low
Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High
Voltage
2.0
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output Low
Voltage
0.45
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 5.8 mA
V
OH1
Output High
Voltage
2.4
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.5 mA
V
ID
A
Intelligent
Identifier
Voltage
11.50
13.00
V
I
ID
A
Intelligent
Identifier
Current
1, 2
90
200
μA
A
9
= V
ID
V
PPL
V
PP
during
Read-Only
Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Program
are Inhibited
when V
PP
= V
PPL
V
PPH
V
PP
during
Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write
Lock Voltage
2.5
V
NOTES:
1.
All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at V
CC
= 5.0 V, V
PP
= 12.0 V, T = 25 °C. These currents are
valid for all product versions (packages and speeds).
Not 100% tested: Characterization data available.
“Typicals” are not guaranteed, but based on a limited number of samples from production lots.
2.
3.
4.5
DC Characteristics
—CMOS Compatible—Commercial Products
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input Leakage
Current
1
±1.0
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or V
SS
I
LO
Output Leakage
Current
1
±10
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
OUT
= V
CC
or V
SS
I
CCS
V
CC
Standby
Current
1
50
100
μA
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
CC
±0.2 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN28F020-120 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F512-120 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| TN5C060-45 | 16 MACROCELL CMOS PLD |
| TN5C090-50 | 24 MACROCELL CMOS PLD |
| TN5C090 | 24 MACROCELL CMOS PLD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN28F020-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F512-120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: |
| TN29/19/15-3E25 | 制造商:FERROXCUBE 功能描述:FERRITE CORE TOROID 3E25 制造商:FERROXCUBE 功能描述:FERRITE TN29/19/15-3E25 制造商:Yageo / Ferroxcube 功能描述:FERRITE CORE, TOROID, 3E25 制造商:FERROXCUBE 功能描述:FERRITE CORE, TOROID, 3E25; Core Type:Toroid; Core Size:TN29; Material Grade:3E25; Effective Magnetic Path Length:73.2mm; Ae Effective Cross Section Area:73.9mm2; Inductance Factor Al:7000nH; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); External ;RoHS Compliant: Yes |
| TN29/19/7.5 | 制造商:FERROXCUBE 制造商全稱:Ferroxcube International Holding B.V. 功能描述:Ferrite toroids |
| TN29/19/7.5-3C11 | 制造商:Yageo / Ferroxcube 功能描述: |
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