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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TMS6644148 |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| 中文描述： | 4 194 304 4位/ 2 097 152 8位/ 1 048 576由16位4，銀行同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/56頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 958K |
| 代理商： | TMS6644148 |
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TMS664414, TMS664814, TMS664164
4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMOS695A – APRIL 1998 – REVISED JULY 1998
43
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
CKE
CS
A0–A9
A10
A11
A12
A13
W
CAS
RAS
DQMx
DQ
CLK
C1
C0
R1
R1
R1
R0
R0
R0
h
g
f
b
e
d
c
a
ACTV_0
DCAB
WRT_0
READ_1
ACTV_1
tRCD
nDOD
BURST
TYPE
BANK
ROW
BURST CYCLE
(D/Q)
(0–3)
ADDR
a
b
c
d
e
f
g
h
Q
1
R0
C0
C0+1
C0+2
C0+3
D
0
R1
C1
C1+1
C1+2
C1+3
Column-address sequence depends on programmed burst type and starting addresses C0 and C1 (see Table 5).
NOTE A: This example illustrates minimum tRCD for the ’664xx4 at 100 MHz.
Figure 33. Use of DQM for Output and Data-In Cycle Masking (Read-Burst Bank 1, Write-Burst Bank 0,
Deactivate All Banks) (CAS latency = 2, burst length = 4)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS6644148A | 4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS99534A | FREQUENCY-SHITF-KEYED MODEM |
| TMS99532A | FREQUENCY-SHITF-KEYED MODEM |
| TMS9995 | 16-Bit Microcomputer |
| TMS9995NL | 16-Bit Microcomputer |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS6644148A | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS664414DGE-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X4MX4|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664414DGE-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X4MX4|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664414DGE-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X4MX4|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
| TMS664814 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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