參數(shù)資料
型號： TC55VCM216ASTN40
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
中文描述： 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： TC55VCM216ASTN40
TC55VCM216ASTN40,55
2002-07-04 7/14
AC TEST CONDITIONS
PARAMETER
TEST CONDITION
Input pulse level
0.2 V, V
DD
×
0.7 V
+
0.2 V
t
R
, t
F
1V / ns(Fig.1)
Timing measurements
V
DD
×
0.5
Reference level
V
DD
×
0.5
Output load
30 pF
+
1 TTL Gate(Fig.2)
Fig.1 : Input rise and fall time
Fig.2 : Output load
Dout
30 pF
R2
V
TM
R1
R1
=
810
R2
=
1610
V
TM
=
2.3 V
GND
90%
1 V/ns
t
R
10%
90%
10%
t
F
V
DD
Typ
1 V/ns
相關PDF資料
PDF描述
TC55VCM216ASTN55 TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55VD1618FF-133 1M Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(1M 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD1636FF-133 512K Word x 36 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x36位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-133 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-150 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TC55VCM216ASTN55 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55VCM216ASTN55(LA) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
TC55VCM316BSGN55LC 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
TC55VCM316BTGN55LA 功能描述:IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TC55VCM416BSGN 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM
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