參數(shù)資料
型號(hào): TC55VCM216ASTN40
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
中文描述: 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS
文件頁數(shù): 2/14頁
文件大小: 201K
代理商: TC55VCM216ASTN40
TC55VCM216ASTN40,55
2002-07-04 2/14
BLOCK DIAGRAM
V
DD
GND
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
I/O8
R/W
CE
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
I/O16
OE
UB
LB
1
CE
CE2
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A16
CE
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A17
R
D
R
B
R
R
MEMORY CELL ARRAY
2,048
×
128
×
16
(4,194,304)
D
I
B
D
I
B
D
O
B
D
O
B
SENSE AMP
COLUMN ADDRESS
REGISTER
COLUMN ADDRESS
BUFFER
COLUMN ADDRESS
DECODER
CLOCK
GENERATOR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TC55VCM216ASTN55 TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55VD1618FF-133 1M Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(1M 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD1636FF-133 512K Word x 36 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x36位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-133 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-150 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TC55VCM216ASTN55 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55VCM216ASTN55(LA) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
TC55VCM316BSGN55LC 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
TC55VCM316BTGN55LA 功能描述:IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
TC55VCM416BSGN 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM