型號(hào): | TC55VCM216ASTN40 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
中文描述: | 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS |
文件頁數(shù): | 2/14頁 |
文件大小: | 201K |
代理商: | TC55VCM216ASTN40 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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TC55VCM216ASTN55 | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
TC55VD1618FF-133 | 1M Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(1M 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
TC55VD1636FF-133 | 512K Word x 36 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x36位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
TC55VD818FF-133 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
TC55VD818FF-150 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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TC55VCM216ASTN55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
TC55VCM216ASTN55(LA) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
TC55VCM316BSGN55LC | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
TC55VCM316BTGN55LA | 功能描述:IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
TC55VCM416BSGN | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM |