參數(shù)資料
型號(hào)： TC55VCM216ASTN40
廠(chǎng)商： Toshiba Corporation
英文描述： TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
中文描述： 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： TC55VCM216ASTN40
TC55VCM216ASTN40,55
2002-07-04 5/14
AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
(Ta
=
40° to 85°C, V
DD
=
2.7 to 3.6 V)
READ CYCLE
TC55VCM216ASTN
40
55
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
t
RC
Read Cycle Time
40
55
t
ACC
Address Access Time
40
55
t
CO1
Chip Enable(
1
CE
) Access Time
40
55
t
CO2
Chip Enable(CE2) Access Time
40
55
t
OE
Output Enable Access Time
25
30
t
BA
Data Byte Control Access Time
40
55
t
COE
Chip Enable Low to Output Active
5
5
t
OEE
Output Enable Low to Output Active
0
0
t
BE
Data Byte Control Low to Output Active
5
5
t
OD
Chip Enable High to Output High-Z
20
25
t
ODO
Output Enable High to Output High-Z
20
25
t
BD
Data Byte Control High to Output High-Z
20
25
t
OH
Output Data Hold Time
10
10
ns
WRITE CYCLE
TC55VCM216ASTN
40
55
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
t
WC
Write Cycle Time
40
55
t
WP
Write Pulse Width
30
40
t
CW
Chip Enable to End of Write
35
45
t
BW
Data Byte Control to End of Write
35
45
t
AS
Address Setup Time
0
0
t
WR
Write Recovery Time
0
0
t
ODW
R/W Low to Output High-Z
20
25
t
OEW
R/W High to Output Active
0
0
t
DS
Data Setup Time
20
25
t
DH
Data Hold Time
0
0
ns
Note: t
OD
, t
ODO
, t
BD
and t
ODW
are specified in time when an output becomes high impedance, and are not judged depending on
an output voltage level.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TC55VCM216ASTN55 TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC55VD1618FF-133 1M Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(1M 字x18位同步無(wú)轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD1636FF-133 512K Word x 36 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x36位同步無(wú)轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-133 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無(wú)轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
TC55VD818FF-150 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無(wú)轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM)
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參數(shù)描述
TC55VCM216ASTN55 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
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TC55VCM416BSGN 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM
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