型號(hào): | STGB7NB60KT4 |
英文描述: | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:25V; Capacitance:35pF RoHS Compliant: Yes |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費(fèi)電子展|第7A一(c)|至263AB |
文件頁數(shù): | 5/14頁 |
文件大小: | 270K |
代理商: | STGB7NB60KT4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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STGD3NB60HD | N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT |
STGD3NB60HDT4 | N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT |
STGD3NB60HT4 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA RoHS Compliant: No |
STGD3NB60KD | SIDACTOR - TECCOR P0640SC MC |
STGD3NB60M | 58V SURGECTOR, DO-214AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STGB7NB60MDT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGB7NC60HD | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A D2PAK |
STGB7NC60HDT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGB7NC60HT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGB8NC60K | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT |