參數(shù)資料
型號： STGB7NB60KT4
英文描述： Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:25V; Capacitance:35pF RoHS Compliant: Yes
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第7A一（c）|至263AB
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文件大小： 270K
代理商： STGB7NB60KT4
STGP7NB60K/FP/STGB7NB60K/STGD7NB60K
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
(
n
) Pulse width limited bysafe operatingarea
(1) (t =1 sec; Tc=25
°
C)
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
MAIN PARAMETERS
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25
°
C
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
V
GE
=
±
20V , V
CE
= 0
Parameter
Value
Unit
TO-220 / D
2
PAK
TO-220FP
DPAK
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
n
)
P
TOT
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
600
V
Emitter-Collector Voltage
20
V
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuos) at T
C
= 25
°
C
Collector Current (continuos) at T
C
= 100
°
C
±
20
V
14
A
7
A
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
50
A
65
28
45
W
0.64
0.28
0.64
W/
°
C
V
V
ISO
(1)
T
stg
T
j
Insulation Withstand Voltage A.C.
--
2500
--
Storage Temperature
–65 to 150
°
C
°
C
Max. Operating Junction Temperature
150
TO-220
D
2
PAK
1.62
TO-220FP
DPAK
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
4.1
2.1
100
°
C/W
°
C/W
°
C/W
62.5
Rthc-h
Thermal Resistance Case-heatsink Typ
0.5
Test Conditions
I
C
= 250
μ
A, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
I
CES
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
50
500
μ
A
μ
A
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
±
100
nA
V
GE(th)
V
CE(sat)
Gate Threshold Voltage
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250
μ
A
V
GE
= 15V, I
C
= 7 A
V
GE
= 15V, I
C
= 7 A, Tj =125
°
C
5
7
V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
2.3
1.9
2.8
V
V
相關PDF資料
PDF描述
STGD3NB60HD N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60HDT4 N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60HT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA RoHS Compliant: No
STGD3NB60KD SIDACTOR - TECCOR P0640SC MC
STGD3NB60M 58V SURGECTOR, DO-214AA
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參數(shù)描述
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