參數(shù)資料
型號： STGB7NB60KT4
英文描述： Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:25V; Capacitance:35pF RoHS Compliant: Yes
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展|第7A一（c）|至263AB
文件頁數(shù)： 13/14頁
文件大小： 270K
代理商： STGB7NB60KT4
13/14
STGP7NB60K/FP/STGB7NB60K/STGD7NB60K
TUBE SHIPMENT (no suffix)*
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*
DPAK FOOTPRINT
* on sales
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
G
N
T
1.5
12.8
20.2
16.4
50
0.059
0.504
0.795
0.645
1.968
13.2
0.520
18.4
0.724
22.4
0.881
BASE QTY
2500
BULK QTY
2500
REEL MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
6.8
10.4
MAX.
7
10.6
12.1
1.6
MIN.
0.267
0.409
MAX.
0.275
0.417
0.476
0.063
A0
B0
B1
D
D1
E
F
K0
P0
P1
P2
R
W
1.5
1.5
1.65
7.4
2.55
3.9
7.9
1.9
40
15.7
0.059
0.059
0.065
0.291
0.100
0.153
0.311
0.075
1.574
0.618
1.85
7.6
2.75
4.1
8.1
2.1
0.073
0.299
0.108
0.161
0.319
0.082
16.3
0.641
TAPE MECHANICAL DATA
All dimensions
are in millimeters
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD3NB60HD N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60HDT4 N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60HT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA RoHS Compliant: No
STGD3NB60KD SIDACTOR - TECCOR P0640SC MC
STGD3NB60M 58V SURGECTOR, DO-214AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB7NB60MDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB7NC60HD 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A D2PAK
STGB7NC60HDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB7NC60HT4 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB8NC60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
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