參數(shù)資料
型號(hào)： SI4416DY
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大小： 253K
代理商： SI4416DY
Philips Semiconductors
Si4416DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 05 June 2001
3 of 13
9397 750 08299
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
GS
≥
10 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of ambient temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of ambient temperature.
T
amb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain source voltage.
03aa11
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
Pder
(%)
Tamb (oC)
03aa19
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
175
Ider
(%)
Tamb (oC)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
D
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03af20
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
(V)
I
D
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
R
DSon
= V
DS
/ I
D
1 ms
tp = 10 μs
100 μs
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PDF描述
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