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參數(shù)資料
| 型號： | SI4416DY |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 9 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012 |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 2/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 253K |
| 代理商： | SI4416DY |
Philips Semiconductors
Si4416DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 05 June 2001
2 of 13
9397 750 08299
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
5.
Quick reference data
6.
Limiting values
Table 2:
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
I
D
drain current
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
T
j
= 25 to 150
°
C
T
amb
= 25
°
C; pulsed; tp
≤
10 s
T
amb
= 25
°
C; pulsed; tp
≤
10 s
Typ
14
21
Max
30
9
2.5
150
18
28
Unit
V
A
W
°
C
m
m
V
GS
= 10 V; I
D
= 9 A
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 7.3 A
Table 3:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current
Limiting values
Conditions
T
j
= 25 to 150
°
C
Min
55
55
Max
30
±
20
9
7.2
50
2.5
1.6
+150
+150
Unit
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
T
amb
= 25
°
C; pulsed; tp
≤
10 s;
Figure 2
and
3
T
amb
= 70
°
C; pulsed; tp
≤
10 s;
Figure 2
T
amb
= 25
°
C; pulsed; tp
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
amb
= 25
°
C; pulsed; tp
≤
10 s;
T
amb
= 70
°
C; pulsed; tp
≤
10 s;
Figure 1
I
DM
P
tot
peak drain current
total power dissipation
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
storage temperature
operating junction temperature
T
amb
= 25
°
C; pulsed; tp
≤
10 s
2.1
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4416DY | Single N-Channel MOSFET |
| SI4800 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI4884DY | Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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