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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128P11FFIR10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 128M X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 58/77頁(yè) |
| 文件大小： | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P11FFIR10 |
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58
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
S29GL-P_00_A7 November 8, 2007
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
11.7.2
Hardware Reset (RESET#)
Figure 11.7
Reset Timings
Table 11.4
Hardware Reset (RESET#)
Parameter
Description
Speed
Unit
JEDEC
Std.
t
Ready
RESET# Pin Low (During Embedded Algorithms) to
Read Mode or Write mode
Min
35
μs
t
Ready
RESET# Pin Low (NOT During Embedded Algorithms)
to Read Mode or Write mode
Min
35
μs
t
RP
t
RH
t
RPD
t
RB
RESET# Pulse Width
Min
35
μs
Reset High Time Before Read
Min
200
ns
RESET# Low to Standby Mode
Min
10
μs
RY/BY# Recovery Time
Min
0
ns
RESET#
RY/BY#
RY/BY#
t
RP
t
Ready
Reset Timings NOT during Embedded Algorithms
t
Ready
CE#, OE#
t
RH
CE#, OE#
Reset Timings during Embedded Algorithms
RESET#
t
RP
t
RB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P11FFIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11FFIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| S29GL128P11FFIS33 | 制造商:Spansion 功能描述:IC 128M PAGE-MODE FLASH MEMORY - Tape and Reel |
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