參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL064M90FBIR22
廠商： Spansion Inc.
英文描述： MOSFET, Switching; VDSS (V): 300; ID (A): 40; Pch : 150; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.058; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 5150; toff (µs) typ: 0.22; Package: TO-3P
中文描述： 3.0伏只頁(yè)面模式閃存具有0.23微米工藝技術(shù)的MirrorBit
文件頁(yè)數(shù)： 61/160頁(yè)
文件大小： 2142K
代理商： S29GL064M90FBIR22
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
61
P r e l i m i n a r y
SA115
1
1
1
0
0
1
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398000–39FFFF
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SA127
1
1
1
1
1
1
1
3F8000–3FFFFF
Table 12. S29GL128M Sector Address Table
Sector
A22–A15
Sector Size
(Kbytes/
Kwords)
8-bit
Address Range
(in hexadecimal)
16-bit
Address Range
(in hexadecimal)
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0
0
0
0
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64/32
1A0000–1AFFFF
0D0000–0D7FFF
Table 11. S29GL064M (Model R6, R7) Sector Address Table (Continued)
Sector
A21–A15
16-bit
Address Range
(in hexadecimal)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064M90FBIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FDIR22 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FDIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FDIR30 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FDIR32 MOSFET, Switching; VDSS (V): 20; ID (A): 90; Pch : 100; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.0024; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: [0.0035]; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 6800; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL064M90FFIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR00 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR3 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 4M x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP
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