參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL064M90FAIR32
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： MOSFET, Switching; VDSS (V): 250; ID (A): 12; Pch : 35; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.13; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1300; toff (µs) typ: 0.08; Package: TO-220FN
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
封裝： 13 X 11 MM, FORTIFIED, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 45/160頁(yè)
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL064M90FAIR32
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
45
P r e l i m i n a r y
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Table 7. S29GL064M (Model R1, R2) Sector Address Table (Continued)
Sector
A21–A15
Sector Size
(Kbytes/
Kwords)
8-bit
Address Range
(in
hexadecimal)
16-bit
Address Range
(in
hexadecimal)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064M90FAIR33 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR00 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR02 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR03 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR20 MOSFET, Switching; VDSS (V): 290; ID (A): 18; Pch : 30; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.07; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2200; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220FN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL064M90FAIR40 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL064M90FFIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR00 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray
S29GL064M90TAIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
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