參數(shù)資料
型號： S29GL064M90FAIR32
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： MOSFET, Switching; VDSS (V): 250; ID (A): 12; Pch : 35; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.13; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 1300; toff (µs) typ: 0.08; Package: TO-220FN
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
封裝： 13 X 11 MM, FORTIFIED, BGA-64
文件頁數(shù)： 136/160頁
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL064M90FAIR32
136
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
AC Characteristics
Temporary Sector Unprotect
Notes:
1. Not 100% tested.
Figure 22. Temporary Sector Group Unprotect Timing Diagram
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
RESET#
t
VIDR
V
ID
V
SS
, V
IL
,
or V
IH
V
ID
V
SS
, V
IL
,
or V
IH
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
t
RRB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064M90FAIR33 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR00 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR02 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR03 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90FBIR20 MOSFET, Switching; VDSS (V): 290; ID (A): 18; Pch : 30; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.07; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2200; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220FN
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參數(shù)描述
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S29GL064M90TAIR2 制造商:Spansion 功能描述:
S29GL064M90TAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray
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