參數(shù)資料
型號: RD38F1010C0ZTL0
廠商: INTEL CORP
元件分類: 存儲器
英文描述: 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
中文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝: 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁數(shù): 39/70頁
文件大?。?/td> 1223K
代理商: RD38F1010C0ZTL0
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
39
5.11
SRAMDataRetentionCharacteristics
Extended
Temperature
Table19. SRAMDataRetentionCharacteristics
(1)
—ExtendedTemperature
Sym
Parameter
Note
Min
Typ
Max
Unit
TestConditions
V
DR
S-V
CC
forDataRetention
2
1.5
3.3
V
CS
1
#
V
CC–
0.2 V
I
DR
DeepRetentionCurrent-
8-Mbit
6
μA
S-V
CC
= 1.5 V
CS
1
#
V
CC–
0.2 V
DeepRetentionCurrent-
4-Mbit
5
μA
DeepRetentionCurrent-
2-Mbit
4
μA
t
SDR
DataRetentionSet-upTime
0
ns
SeeDataRetentionWaveform
t
RDR
NOTES:
1. TypicalvaluesatnominalS-V
CC
,T
CASE
= +25°C.
2. S-CS1#
V
CC–
0.2 V,S-CS2
V
CC–
0.2 V(S-CS2controlled).
RecoveryTime
t
RC
ns
Figure11.SRAMDataRetentionWaveform
V
CC
3.0/2.7V
CS
1
#(E
1
)
2.2V
V
DR
CS
2
(E
2
)
GND
V
CC
3.0/2.7V
0.4V
GND
V
DR
CS
1
#Controlled
CS
2
Controlled
DataRetentionMode
t
SDR
t
RDR
DataRetentionMode
t
SDR
t
RDR
相關PDF資料
PDF描述
RD38F1020C0ZBL0 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F3208C3B70 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F3204C3B70 TVS BIDIRECT 400W 18V SMA
RD28F1602C3B70 TVS 400W 20V UNIDIRECT SMA
RD28F1604C3B90 TVS UNI-DIR 9.0V 400W SMA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
RD38F1010W0YBQ0 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP)
RD38F1010W0YDQ0 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP)
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