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參數(shù)資料
| 型號： | RD28F3208C3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 56/70頁 |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | RD28F3208C3T90 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
56
Datasheet
B.6
DeviceGeometryDefinition
n
Table26. DeviceGeometryDefinition
Offset
Length
Description
Code
SeeTableBelow
27h
28h
1
2
“n”suchthatdevicesize=2
n
innumberofbytes
Flashdeviceinterface:x8asyncx16asyncx8/x16async
28:00,29:0028:01,29:0028:02,29:00
“n”suchthatmaximumnumberofbytesinwritebuffer=2
n
27:
28:
29:
2A:
2B:
--01
--00
--00
--00
x16
2Ah
2
0
2Ch
1
Numberoferaseblockregionswithindevice:
1.x=0meansnoeraseblocking;thedeviceerasesin“bulk”
2.xspecifiesthenumberofdeviceorpartitionregionswithoneor
morecontiguoussame-sizeeraseblocks.
3.Symmetricallyblockedpartitionshaveoneblockingregion
4.Partitionsize=(totalblocks)x(individualblocksize)
EraseBlockRegion1Information
bits0–15=y,y+1=numberofidentical-sizeeraseblocks
bits16–31=z,regioneraseblock(s)sizearezx256bytes
2C:
--02
2
2Dh
4
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
31h
4
EraseBlockRegion2Information
bits0–15=y,y+1=numberofidentical-sizeeraseblocks
bits16–31=z,regioneraseblock(s)sizearezx256bytes
DeviceGeometryDefinition
Address
16-Mbit
32-Mbit
–B
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--1E
--00
--00
--01
–T
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--1E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–B
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--3E
--00
--00
--01
–T
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--3E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
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