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參數(shù)資料
| 型號： | RD28F3208C3T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 55/70頁 |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | RD28F3208C3T90 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
55
B.5
SystemInterfaceInformation
Table25. SystemInterfaceInformation
Offset
Length
Description
Addr.
Hex
Code
Value
1Bh
1
V
CC
logicsupplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
logicsupplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
[programming]supplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
V
PP
[programming]supplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
“n”suchthattypicalsinglewordprogramtime-out=2
n
μs
V
logicsupplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
CC
logicsupplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
[programming]supplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
V
[programming]supplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
“n”suchthattypicalsinglewordprogramtime-out=2
n
μs
V
logicsupplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
logicsupplymaximumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7BCDvolts
V
PP
[programming]supplyminimumprogram/erasevoltage
bits0–3BCD100mV
bits4–7HEXvolts
“n”suchthattypicalmax.bufferwritetime-out=2
n
μs
“n”suchthattypicalblockerasetime-out=2
n
ms
“n”suchthattypicalfullchiperasetime-out=2
n
ms
“n”suchthatmaximumwordprogramtime-out=2
n
timestypical
“n”suchthatmaximumbufferwritetime-out=2
n
timestypical
“n”suchthatmaximumblockerasetime-out=2
n
timestypical
“n”suchthatmaximumchiperasetime-out=2
n
timestypical
1B:
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2.7V
1Ch
1
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1
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11.4V
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21h
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23h
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25h
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1
1
1
1
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1
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25:
26:
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--0A
--00
--04
--00
--03
--00
n/a
1s
n/a
512μs
n/a
8s
NA
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PDF描述 |
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