參數(shù)資料
型號(hào)： RD28F3204C3B70
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： TVS BIDIRECT 400W 18V SMA
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁數(shù)： 32/70頁
文件大小： 1223K
代理商： RD28F3204C3B70
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
32
Datasheet
t
WHQV3
/t
EHQV3
t
WHRH1
/t
EHRH1
32-KWMainBlockEraseTime(Word)
2,3
1
5
0.6
5
s
ProgramSuspendLatency
3
5
10
5
10
μs
t
WHRH2
/t
EHRH2
EraseSuspendLatency
3
5
20
5
20
μs
NOTES:
1. TypicalvaluesmeasuredatT
= +25°Candnominalvoltages.
2. Excludesexternalsystem-leveloverhead.
3. Sampled,butnot100%tested.
Table15. FlashEraseandProgramTimings(Sheet2of2)
Symbol
Parameter
F-V
PP
1.65V–3.3V
11.4V–12.6V
Unit
Note
Typ
(1)
Max
Typ
(1)
Max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RD28F1602C3B70 TVS 400W 20V UNIDIRECT SMA
RD28F1604C3B90 TVS UNI-DIR 9.0V 400W SMA
RD28F1602C3B90 TVS UNIDIRECT 400W 90V SMA
RD28F3208C3B90 TVS BIDIRECT 400W 90V SMA
RD28F3208C3T70 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RD28F3204C3T70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F3204W30B70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28F3204W30B85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28F3204W30T70 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28F3204W30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
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