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參數(shù)資料
| 型號： | RD28F3204C3B70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | TVS BIDIRECT 400W 18V SMA |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 26/70頁 |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | RD28F3204C3B70 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
26
Datasheet
5.4
DCCharacteristics
Table11. DCCharacteristics(Sheet1of2)
Symbol
Parameter
Device
Note
2.7V–3.3V
Unit
TestConditions
Typ
Max
I
LI
InputLoadCurrent
Flash/
SRAM
1
±
2
μA
F-V
CC
/S-V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
MaxorGND
I
LO
OutputLeakageCurrent
Flash/
SRAM
1
0.2
±
10
μA
F-V
CC
/S-V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
MaxorGND
I
CCS
V
CC
StandbyCurrent
0.25μm
Flash
1
10
25
μA
F-V
= V
Max
F-CE# = F-RP# = V
F-WP# = V
orGND
V
IN
= V
CC
MaxorGND
0.13μm
and
0.18μm
Flash
1
7
15
2-Mb
SRAM
1
-
10
μA
S-V
CC
= V
CC
Max
S-CS1# =V
,S-CS2 =V
CC
orS-CS2 =GND
V
IN
= V
CC
MaxorGND
4-Mb
SRAM
1
-
15
μA
8-Mb
SRAM
1
-
25
μA
I
CCD
V
CC
DeepPower-DownCurrent
0.25μm
Flash
1
7
25
μA
F-V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
MaxorGND
F-RP# = GND±0.2 V
0.13μm
and
0.18μm
Flash
1
7
15
I
CC
OperatingPowerSupplyCurrent
(cycletime=1
μ
s)
2-Mb
SRAM
1
-
7
mA
I
IO
= 0mA,S-CS1# = V
IL
S-CS2 =S-WE#= V
IH
V
IN
= V
IL
orV
IH
4-Mb
SRAM
1
-
10
mA
8-Mb
SRAM
1
-
10
mA
I
CC2
OperatingPowerSupplyCurrent
(mincycletime)
2-Mb
SRAM
1
-
40
mA
Cycletime=Min,100%duty,
I
= 0mA,S-CS1# =V
,
S-CS2 = V
IH,
V
IN
= V
IL
orV
IH
4-Mb
SRAM
1
-
45
mA
8-Mb
SRAM
1
-
50
mA
I
CCR
V
CC
ReadCurrent
0.25μm
Flash
1,2
10
18
mA
F-V
CC
= V
CC
Max
F-OE# = V
IH
,F-CE# = V
IL
f = 5MHz,I
OUT
= 0mA
V
IN
= V
IL
orV
IH
0.13μm
and
0.18μm
Flash
1,2
9
18
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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