參數(shù)資料
型號： R1LP0408CSP-5SC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝： 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大小： 94K
代理商： R1LP0408CSP-5SC
R1LP0408C-C Series
Rev.2.00, May.26.2004, page 12 of 12
Low VCC Data Retention Characteristics
(Ta =
20 to +70°C)
Parameter
Symbol
Min Typ
Max Unit Test conditions*
3
VCC for data retention
VDR
2
V
CS#
≥ VCC 0.2 V, Vin ≥ 0 V
to +70
°C
ICCDR
8
A
VCC = 3.0 V, Vin
≥ 0 V
to +40
°C
ICCDR
1.0*
2
3
A
CS#
≥ VCC 0.2 V
5SC
to +25
°C
ICCDR
0.8*
1
3
A
to +70
°C
ICCDR
16
A
to +40
°C
ICCDR
1.0*
2
10
A
Data
retention
current
7LC
to +25
°C
ICCDR
0.8*
1
10
A
Chip deselect to data retention time
tCDR
0
ns
See retention waveform
Operation recovery time
tR
tRC*
4
ns
Notes: 1. Typical values are at VCC = 3.0 V, Ta = +25
°C and specified loading, and not guaranteed.
2. Typical values are at VCC = 3.0 V, Ta = +40
°C and specified loading, and not guaranteed.
3. CS# controls address buffer, WE# buffer, OE# buffer, and Din buffer. In data retention mode,
Vin levels (address, WE#, OE#, I/O) can be in the high impedance state.
4. tRC = read cycle time.
Low VCC Data Retention Timing Waveform (CS# Controlled)
V
CC
4.5 V
2.2 V
0 V
CS#
t
CDR
t
R
CS#
≥ V
CC – 0.2 V
V
DR
Data retention mode
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PDF描述
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參數(shù)描述
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R1LP0408CSP5SC#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
R1LP0408CSP-5SC#S0 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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